要知道大功率直流电源的场合，开关频率很难提高，为什么？衡量开关器件的两个重要指标一是通过电流、二是耐受电压，大功率开关器件造价非常高昂，而且由于技术限制，单个开关器件的功率就不可能太大。
晶闸管是功率最大的开关器件，但是频率太低，而MOSFET、IGBT新一代高频开关器件功率受限很大。
张政深知这一点，他参与设计从三侠水电输送到江海的高压直流输电工程，每一个换流阀都是由几百上千个IGBT并联后串联组成，均压和均流非常难以实现，每一个IGBT的驱动信号都采用光纤，只要哪怕有一根头发丝的差距，均压均流失败，那么一个阀内的所有开关都会瞬间烧掉，还会引起可怕的连锁反应。
这种换流阀世界上只有几家公司能够做到，均压均流的工艺要求太高。
即便如此，整个阀的开关频率也就在1000Hz左右。
大功率对开关频率的限制非常大，单一的开关器件达不到要求，频率稍有提高，均压均流的难度成倍提高。
本次开发的高压直流发生器，输出直流要求200kV，电流最高峰值达到800mA，短时最大功率超过160k，单一的开关器件也无法做到，硬开关状态损耗太大，频率一提高，开关寿命成几何级下降。
必须软开关，必须均压均流，还必须要求重量要足够轻，就必须提高频率，这才是一系列提高难度的要素，否则一帮子经验丰富的教授怎会一筹莫展呢。
张政迫不及待向刘晨讨教，心中的疑惑太多。
“怎么会呢？如果开关频率10k的话，我粗略测算，波动会在5%以上。”
“10k？那是远远不够的，这种控制模式的开关频率起码100kHz以上。完全消除开关损耗就是为了高频化，10k的频率量级不需要用这种结构。”
“100kHz？”张政眼睛都瞪圆了，这么高频率，那整体设备的重量肯定大大减轻呀。只是……
“这么高频率，IGBT也达不到，只能采用MOSFET结构的开关器件，单个片子的容量可非常小啊，这又要考虑复杂的均压均流的问题了。”张政苦着脸。他觉得最理想的状况是把频率提高到30k达到平衡。
“这个简单，MOSFET的耐压没问题，就是通过电流偏小，而我们采用这种拓扑结构是在电流为零时切换开关，想到了吗？那就是天然的均流条件呀，只要把几个开关管并联在一起就能解决容
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